Трансформатор в идеальной модели передаёт всю энергию из первичной обмотки во вторичную через общий магнитный поток. На практике часть магнитного потока замыкается не через сердечник, а через воздух и конструктивные зазоры между обмотками – этот поток не участвует в передаче энергии и порождает паразитный параметр, который называется индуктивностью рассеяния.
Для разработчика импульсных источников питания, DC/DC-преобразователей и любых высокочастотных схем индуктивность рассеяния – не абстрактная величина из технической документации, а реальный источник проблем: выбросы напряжения, перегрев ключей, электромагнитные помехи и снижение КПД.
Физическая причина одна: обмотки трансформатора никогда не занимают одно и то же пространство. Между первичной и вторичной обмоткой всегда есть расстояние – изоляционные слои, зазоры, межслойные прокладки. Магнитный поток, проходящий через это пространство, не связан со второй обмоткой и не передаёт ей энергию. Именно он формирует индуктивность рассеяния.
Величина этого параметра зависит от нескольких факторов. Чем больше физическое расстояние между обмотками, тем выше рассеяние. Чем больше число витков и толще изоляционные слои, тем сильнее эффект. Геометрия намотки и форма сердечника тоже имеют значение: у тороидальных трансформаторов обмотки распределены по всей длине замкнутого магнитопровода и физически расположены близко друг к другу, что обеспечивает хорошую магнитную связь и минимальное рассеяние. У трансформаторов на Ш-образных и EE-сердечниках достичь аналогичного результата сложнее, хотя грамотное секционирование намотки позволяет существенно сократить разрыв.
Индуктивность рассеяния ведёт себя как последовательная индуктивность в цепи. При переключении силового ключа энергия, накопленная в этой индуктивности, никуда не девается – она вызывает выброс напряжения на стоке транзистора в момент его закрытия. Амплитуда выброса прямо пропорциональна индуктивности рассеяния и скорости нарастания тока (di/dt). В жёстких схемах без принятых мер этот выброс может в несколько раз превышать напряжение питания и выводить транзисторы из строя.
Помимо угрозы для ключей, индуктивность рассеяния ограничивает скорость нарастания тока во вторичной цепи, что влияет на динамические характеристики преобразователя. В схемах с несколькими выходами рассеяние между обмотками приводит к перекрёстным помехам и ухудшению стабилизации напряжения при несимметричной нагрузке.
С точки зрения электромагнитной совместимости, поток рассеяния – это источник излучаемых помех. Особенно это критично для оборудования, которое должно соответствовать требованиям по ЭМС.
Способы снижения рассеяния делятся на конструктивные – те, что закладываются при проектировании обмоток, и схемотехнические – те, что применяются уже на уровне силовой схемы.
Конструктивные методы:
Схемотехнические методы:
Если трансформатор изготавливается под заказ – а в оптовых поставках это распространённая практика, – индуктивность рассеяния должна быть указана в техническом задании как нормируемый параметр. Без этого требования производитель выберет технологию намотки, исходя из простоты изготовления, а не из электрических характеристик изделия.
При приёмке партии индуктивность рассеяния измеряется на impedance-анализаторе или LCR-метре при закороченной вторичной обмотке. Разброс этого параметра между экземплярами одной партии напрямую говорит о стабильности технологического процесса у производителя. Значительный разброс – повод для предметного разговора о контроле качества намотки.
Грамотно спроектированный трансформатор с минимальной и стабильной индуктивностью рассеяния – это предсказуемое поведение схемы, меньше доработок на этапе отладки и надёжная работа в серийном изделии.